
富兰克林与Ondo Finance合作

美光科技(Nasdaq: MU)是AI 基础设施建设浪潮中最受关注的受益者之一。随着全球资料中心争相部署GPU 丛集,高频宽记忆体(HBM)与先进DRAM 的需求增速远超供给,美光作为全球三大DRAM 制造商之一(另两家为SK Hynix 和三星),已成为本轮AI 记忆体超循环的核心主角。
美光股价过去一年涨幅约340%,于2026 年3 月创下每股471.34 美元的历史新高后小幅拉回。3 月18 日公布的FQ2 2026 财报全面超越市场预期,但股价隔日下跌约4%,收在444 美元附近,呈现典型的「利多出尽」卖压。目前分析师目标价集中在500 至525 美元区间。
FQ2 2026(截至2026 年2 月底)财报亮点:
2026 年3 月16 日,美光正式进入HBM4 量产阶段,首批客户为辉达(Nvidia)的Vera Rubin 平台。美光管理层表示,2026 年几乎全部HBM4 产能已依定价与数量协议预售完毕,大幅降低了近期的营收不确定性。
SK 集团会长在GTC 2026 也表示,记忆体供应吃紧将持续至2030 年,与美光的HBM 满载出货状态相互印证。
美光将2026 财年资本支出上调至250 亿美元以上,以扩建HBM 与DRAM 产能,涵盖爱达荷州、纽约州、新加坡、日本及印度设施。这也是财报后股价短暂承压的主因之一,市场担忧巨额资本支出是否会压缩自由现金流。
| 机构 | 目标价(美元) | 评级 |
|---|---|---|
| Bernstein | 510 | 强力买进 |
| RBC Capital | 525 | 强力买进 |
| Needham | 500 | 买进 |
| TD Cowen | 500 | 买进 |
| Wedbush | 500 | 买进 |
| 共识平均 | 420–450 | 强力买进 |
每个AI GPU(如Nvidia H200、B200)都需要大量HBM 支撑高速记忆体传输。随着AI 模型规模持续扩大,单卡HBM 容量也在快速提升,带动每片晶圆的HBM 价值大幅增加。
美光历史上股价大幅波动多半源自DRAM 周期。当产能过剩时,DRAM 均价暴跌,美光毛利率快速压缩。目前AI 驱动的需求使DRAM 市场处于相对供不应求的状态,但未来2-3 年的新产能释放仍是观察重点。
SK Hynix 是目前HBM 市场的领先者,率先供货Nvidia。美光在HBM3E 和HBM4 的技术追赶速度加快,但短期内SK Hynix 的市占优势仍在。三星在HBM 良率问题上尚未完全解决,暂时对美光形成间接利多。
美光是美国唯一大规模生产记忆体的企业,在供应链安全议题升温的背景下具有政策支持优势。然而中国市场受限于出口管制,部分需求缺口需重新寻找客户,短期存在一定不确定性。
大规模投资通常在2-3 年后才反映为产能,中间的资本消耗期会压缩自由现金流。市场对美光250 亿美元以上的年度资本支出计划保持高度关注,这也是财报后股价短暂修正的主因。
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